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太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 GBT 37051-2018.pdf
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太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 GBT 37051-2018 太阳 能级 多晶 硅片 晶体缺陷 密度测定 方法 37051 2018
GB/T37051-20185仪器和设备5.1显微镜:具有电子图片采集功能,总放大倍率不小于20倍,视场面积不小于200m200m。5.2通风橱。5.3超声清洗机。5.4机械抛光机。5.5耐氢氟酸材质容器。6试样制备6.1硅块取样对整锭切方,选取其中的三块硅块(如图1,1.紧邻坩埚角部的硅块;2.与第1块硅块相邻且紧邻坩埚的硅块:3.中心或最邻近中心的硅块),硅块尺寸依照GB/T29054,如图1所示。对所选硅块按6.2进行取样。所取样品可反应该整锭的晶体缺陷密度情况。123)硅块总数为奇数b)硅块总数为偶数图1硅块选块位置示意图6.2硅片取样对硅块切片,在距离两端3m处和中部各取1片,共计3片硅片样品,硅片样品尺寸依照GB/T29055。如果硅片样品表面过于粗糙,建议用机械抛光机进行抛光至表面无明显划痕,7测试步骤7.1环境条件7.1.1试样清洗环境空气洁净度符合GB/T25915.1一2010规定的IS06级或更高级别的要求。7.1.2实验室温度控制在1535。7.2试样清洗7.2.1将试样在无水乙醇(4.6)中超声清洗15in,以去除有机沾污。7.2.2将试样在去离子水(4.5)中超声清洗15min,然后用去离子水(4.5)清洗干净。7.23清洗后的试样用压缩空气或氨气吹干,或用适当的方法使试样干燥,

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