金硅面垒型探测器 GBT 13178-1991.pdf

中华人民共和国国家标准金硅面垒型探测器GB/T13178-91Partially depleted gold siliconsurface barrier detectors1主题内容与适用范围本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器（简称探测器）的分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器（不包括位置灵敏探测器）。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。2引用标准GB5201带电粒子半导体探测器测试方法GB10257核仪器与核辐射探测器质量检验规则3术语、符号、代号3.1术语3.1.1面垒型半导体探测器surface barrier semiconductor detector由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。3.1.2耗尽层（灵敏层）depletion lanyer半导体探测器中构成灵敏体积的一层半导体材料，粒子在其中损耗能量的绝大部分对输出信号均有贡献。3.1.3部分耗尽partial depletion耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度。3.1.4灵敏面积sensitive area探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分面积。3.1.5半高宽(FWHM)full width at half maximum在仅由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点的横坐标之间的距离。3.1.6能量分辨率energy resolution探测器对能谱高度分布FWHM的贡献（包括探测器漏电流噪声）以能量单位表示。3.2符号、代号3.2.1a对Am源5.486MeV的a粒子，使用标准电子学设备，成形时间常数为0.5s时，表示整个系统的分辨率(keV)。3.2.2B在3.2.1同样条件下，表示由脉冲产生器信号蜂的半高宽(FWHM)近似的B粒子的分辨率(keV)。3.2.3E1、E2国家技术监普局1991-04-11批准1992-05-01实施1