碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GBT 30867-2014.pdf
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碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GBT
30867-2014
碳化硅
晶片
厚度
变化
测试
方法
30867
2014
GB/T3086720144.2非接触式测量非接触式测量采用光干涉法。用真空吸盘吸持碳化硅单品片试样的背面，使试样表面尽可能靠近干涉仪的基准面，来自单色光源的平面波受到试样表面的反射，在空间迭加形成光干涉。由于所处光程差不同，在屏幕上出现干涉条纹（见图2）。系统以真空吸盘为基准平面，分析得到的干涉条纹，可度量试样总厚度变化。显示屏试样吸一现察透镜校镜准直透镜基准面马达毛玻璃盘一聚焦透镜单色光图2掠射入射干涉仪示意图5仪器设备5.1接触式测厚仪5.1.1测厚仪由带指示仪表的探头及支承单品片的夹具或平台组成。5.1.2测厚仪应能使碳化硅单品片绕平台中心旋转，并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内。5.1.3仪表最小指示量值不大于1m。5.1.4测量时探头与碳化硅单品片接触面积不应超过2mm2。5.2非接触式测厚仪5.2.1掠射入射干涉仪：由单色光源，聚焦透镜、毛玻璃散射盘、准直透镜、棱镜、目镜和观察屏组成。仪器灵敏度优于0.1m,并可调节其灵敏度大小。2
