锑化铟多晶、单晶及切割片 GBT 11072-1989.pdf
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锑化铟多晶、单晶及切割片
GBT
11072-1989
锑化铟
多晶
切割
11072
1989
GB11072-89表2非掺杂和掺杂锑化铟单品电学性能(77K)和位错密度位错密度载流子浓度迁移率电阻率直径牌一号导电类型掺杂剂cm-2cm-3cm2/V.s.cmmm不大于500MInSbN非掺杂(15)104.51050.02710501000110152.41050.0261500MInSb-TeNTe1050710181X100.00011000110152.41050.026500MInSb-SnNSn10507X10181X100.00011000110151100.62500MInSb-GePGe10509101761020.012100011015110500MInSb-ZnPZn0.620.01210509X101761021000110151X10500MInSb-CdPCd0.620.01210509X101761021000表3用于磁敏元件的锑化铟单晶电学性能(300K)载流子浓度迁移率位错密度直径导电类型掺杂剂品向cm-3,不大于cm2/Vs,不小于cm-2,不大于mmN非掺2.3X1016.5X105001050(111)N非掺2.3X10166.5X1010001050(111)4.2.3化单晶棒两端面的法线方向与所要求的晶向偏离应不大于3切割片的晶向偏离应不大于0.54.2.4切割片厚度及偏差见表4。表4切割片的厚度及偏差直径D1020203030404050mm厚度，不小于5006008001000um厚度偏差士20士25士30士35um4.2.5非掺杂和掺杂单品及切割片按位错密度和直径分为三级，见表5。
