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高压直流系统用电压源换流器阀损耗 第1部分:一般要求 GBT 35702.1-2017.pdf
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高压直流系统用电压源换流器阀损耗 第1部分:一般要求 GBT 35702.1-2017 高压 直流 系统 用电 换流 损耗 部分 一般 要求 35702.1 2017
GB/T35702.1-2017/1EC62751-1:2014前言GB/T35702%高压直流系统用电压源换流器阀损耗分为以下两部分:一第1部分:一般要求:一第2部分:模块化多电平换流器。本部分为GB/T35702的第1部分。本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本部分使用翻译法等同采用IE62751-1:2014高压直流系统用电压源换流器阀损耗第1部分:一般要求。与本部分中规范性引用的国际文件有一政性对应关系的我国文件如下:一GB/T4023一2015半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管(IEC60747-2:2000,1DT):一GB/T13498一2017高压直流输电术语(1EC60633:2015,M0D)。本部分做了下列编辑性修改:一按我国习惯将文中的“R,”改为“r,”(见5.2一53)。本部分由中国电器工业协会提出。本部分由全国电力电子系统和设备标准化技术委员会(SAC/TC60)归口。本部分起草单位:西安西电电力系统有限公司、西安高压电器研究院有限责任公司、国网北京经济技术研究院,南方电网科学研究院有限责任公司、全球能源互联网研究院、梦网荣信科技集团股份有限公司、中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心。本部分主要起草人:苟锐锋、骆妮、田恩文、马为民、杨柳、杨晓辉、杨晓平、李强、孙小平、周会高、张晋波、余琼、唐金昆、雷颖、张颜珠、宁大龙、彭程、乐波、马玉龙、彭杨涵、高冲、扬一鸣、吴方劫、高一鸣。GB/T35702.1-2017/1EC62751-1:20143.1.2多电平换流器mult-level converter电压源换流器单元的交流端子和电压源换流器单元中点之间的电压在3个以上独立的直流电压电平之间切换的换流器。注:VSC单元中点在3.5.9中定义,3.1.3模块化多电平换流器modular multi-level converter,MMC每个电压源换流器阀由若干模块化多电平换流器标准组件串联组成的多电平换流器。注:摸块化多电平换流器标准组件在3.5.4中定义,3.1.4级联两电平换流器cascaded two-level converter:CTLC每个开关单元由一个以上IGBT-二极管对串联组成的模块化多电平换流器。注:1GBT-二极管对在3.2.4中定义,3.2半导体器件3.2.1可关断半导体器件tur-off semiconductor device能通过控制信号进行开通和关断的可控半导体器件,如IGBT。3.2.2绝缘栅双极品体管insulated gate bipolar transistor:IGBT具有3个端子的可关断半导体器件:一个栅极端子(G)和两个负荷端子,即发射极(E)和集电极(C)。注:通过施加合适的册极-发射极电压,电流在同一方向可控。比如开通或者关断。3.2.3续流二极管free-wheeling diode:FWD具有二极管特性的功率半导体器件。注:FVD有两个带子:阳极和阴极,通过FWD的电流方向与通过IGBT的电流方向相反。FWD具有应对由于GBT开关作用导致的电流急剧下降间题的能力。3.2.4IGBT-二极管对IGBT-diode pairIGBT和与其反并联的续流二极管的组合。注:GBT-二极管对通常共用一个封装。不过,此术语也包括单独封装的1GBT和(或)二极管的并联连接,3.3换流器运行状态3.3.1空载运行状态no-load operating stateVSC换流站带电且GBT闭锁,同时所有必要的换流站站用荷载和辅助设备均处于已连接的状态。3.3.2无载运行状态idling operating stateVSC换流站带电且IGBT解锁,与交流电网公共连接点处无有功和无功功率交换的状态。注1:“无载运行状态”和“空载运行状态”相似,但是在空载运行状态下,需要几秒钟的时间才能开始输电:而在无载运行条件下,儿乎可立即(小于3个工频周期)开始输电,注2:在无载运行状态下,换流器能主动控制直流电压:而在空载运行状态下,换流器的动作基本上是被动的。

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