硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GBT 1554-2009.pdf

GB/T1554-2009前言本标准代替GB/T1554一1995硅品体完整性化学择优腐蚀检验方法。本标准与GB/T1554一1995相比，主要有如下变化：一增加了“本方法也适用于硅单品片”；一增加了“术语和定义”、“干扰因素”章：一第4章最后一句将“用肉眼和金相显微镜进行观察”修改为“用目视法结合金相显微镜进行观察”：一将原标准中“表1四种常用化学抛光液配方”删除，对化学抛光液配比进行了修改，删除了乙酸配方：并将各种试剂和材料的含量修改为等级：增加了重量比分别为50%CrOs和10%CrOs标准溶液的配比；增加了品体缺陷显示常用的腐蚀剂对比表：依据SEMI MF1809-0704增加了几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表：一第9章将原GB/T1554一1995中“(111)面缺陷显示”中电阻率不小于0.20cm的试样腐蚀时间改为了10min15min:“(100)面缺陷显示”中电阻率不小于0.22cm的试样和电阻常小于0.22cm的试样腐蚀时间全部改为10min15min:增加了(110)面缺陷显示；增加了对重接试样的缺陷显示：在缺陷观测的测点选取中增加了“米”字型测量方法。本标准的附录A为资料性附录。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：峨媚半导体材料厂。本标准主要起草人：何兰英、王炎、张辉坚、刘阳。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB1554-1979、GB/T1554-1995.GB4057-1983。