硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 GBT 14141-2009.pdf

GB/T14141-2009前言本标准代替GB/T14141一1993硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法。本标准与GB/T14141一1993相比，主要有如下改动：一修改了被测薄层电阻的最小直径（由10.0mm改为15.9mm)、薄层电阻阻值的测量范围及精度；一增加了规范性引用文件；一增加了引入与试样几何形状有关的修正因子计算薄层电阻：一增加了干扰因素：一别除了三氯乙烯试剂：一修改了薄层电阻范围，增加了“直流揄入阻抗不小于10”：一那除了三氯乙烯漂洗：修改仲裁测量探针间距，由1mm改为1.59mm:一增加了修正因子和温度修正系数表格。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信总息产业部专用材料质量监督检验中心。本标准主要起草人：李慎重、许峰、刘培东、湛攀、马林宝、何秀坤。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：-GB/T14141-1993。