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硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GBT 1557-1989.pdf
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硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GBT 1557-1989 晶体 间隙 含量 红外 吸收 测量方法 1557 1989
GB1557-895测量程序5.1方法选择5.1.1氧含量大于或等于110”tcm-3的试样,可采用空气参比法或差别法测量,氧含量小于1107atcm3的试样应采用差别法测量。5.2差别法5.2.1分别在试样光束和参比光束中安放样品架,通光孔径为p510mm。5.2.2调整透过率0%(仅对双光束红外分光光度计)和100%。5.2.3分别在试样光束和参比光束中安放待测试样和厚度匹配的参比样品。5.2.4对双光束红外分光光度计,调整扫描速度、时间常数、狭缝宽度和增益等仪器参数;对傅立叶变换红外光谱仪要求扫描次数不少于64次。在1107cm-】处硅-氧键吸收带的半宽度应为32cm-。半宽度确定方法如图。确定基线透过率T。和峰值透过率T,令T=T。T,过T点作基线的平行线,与吸收带的两侧交于M、N,过MN作横坐标的垂线,与横坐标相交于U1、v2,v=V-v2(cmI),即为半宽度。5.2.5在13001000cm1范围内扫描,得到1107cm处的硅-氧键吸收带。5.2.6吸收峰高度(T。-T)小于5%时,应采用低温测量。T/%v/em-15.2.7采用78K低温测量时,峰值位于1127.6cm-I(8.8684m)处,半宽度为20cm1。5.2.8重复测量三次,取结果的平均值。5.3空气参比法测量时,除参比光束中不放参比样品外,其余程序同5.2.25.2.8。6测量结果计算6.1吸收系数a的简化计算1n个式中:D一试样厚度,cm:T。和T一基线和峰值处相应的透过率,%。2

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