硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GBT 1551-2021.pdf

GB/T1551-2021前言本文件按照GB/T1.1一2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草，本文件代替GB/T1551一2009硅单品电阻常测定方法，与GB/T1551一2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：a)更改了直排四探针法的适用范围（见第1章，2009年版的第1章）；b)“范围”中增加了“硅单品其他范围电阻率的测试可参照本文件进行”（见第1章）：c)增加了规范性引用文件GB/T14264(见第2章)：d)增加了“术语和定义”（见第3章）：c)更改了测试环境温度的要求（见第4章，2009年版的第2章、第13章）：D更改了“干扰因素”中光照对测试结果的影响（见5.1,2009年版的3.1、14.1）；g)增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素（见5.3）：h)更改了“干忧因素”中温度对测试结果的影响（见5.4,2009年版的3.4、14.4）：i)增加了探针振动、探针头类型对测试结果影响的干扰因素（见5.5、5.6）；增加了直排四探针法测试时样品发热、探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素见5.7a)、5.7c);k)增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀、存在轻微裂痕或其他机械损伤、导电类型不唯一对测试结果影响的干扰因素（见5.8）：1)删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容（见2009年版的14.6）：m)更改了直非四探针法的测试原理（见6.1,2009年版的第4章）；n)增加了直排四探针法中“试剂和材料”（见6.2）：o)更改了直排四探针法中对针尖形状和初始标称半径的要求见6.3.1a),2009年版的5.1.1门：p)更改了直排四探针法中标准电阻的要求见6.3.2c)、2009年版的5.2.4：q)更改了直排四探针法中散热器的要求（见6.3.4,2009年版的5.4）；r)更改了直排四探针法中制样装置的要求（见6.3.5,2009年版的5.5）；s)更改了直排四探针法中厚度测试仪的要求（见6.3.6,2009年版的5.6）：t)别除了直排四探针法中超声波清洗器、化学实验室器具的要求（见2009年版的5.13、5.14）：u)更改了直排四探针法中样品表面处理的描述（见6.4.1,2009年版的6.1）：v)增加了电阻率大于30002cm样品对应的推荐圆片样品测试电流值（见表2,2009年版的表2):w)删除了不同电阻率样品对应的测试电流（见2009年版的表2）：x)更改了直排四探针法中电学测试装置的要求（见6.5.1.6,2009年版的7.1.6）：y)更改了直排四探针法中确定探针间距用材料的要求（见6.5.2.1,2009年版的7.2.1）：z)删除了直排四探针法测试中样品清洗、干燥的过程（见2009年版的7.3.1）：a)删除了直排四探针法测试中对于圆片试样的特殊要求（见2009年版的7.3.2、7.3.3）：bb)删除了直排四探针法测试圆片时探针阵列位置的要求（见2009年版的7.3.4）：cc)更改了直排四探针法测量组数的要求（见6.5.3.7,2009年版的7.3.8）：dd)更改了直排四探针法测试精密度的内容（见6,7,2009年版的第9章）：ce)更改了直排四探针法的测试原理（见7.1,2009年版的第15章）：