硅片径向电阻率变化的测量方法 GBT 11073-1989.pdf
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硅片径向电阻率变化的测量方法
GBT
11073-1989
硅片
径向
电阻率
变化
测量方法
11073
1989
GB11073-89表2几何修正因子F2对标称直径圆片和探针间距为1,00mm的修正因子Fz硅片标称直径，mm50.876.280.0100.0125.0利最点选点方案A,B,C中心4.5174.5264.5264.5284.530R/24.5064.5204.5214.5254.528离边缘6mm处4.4484.4554.4554.4584.460测量点与片子中心之间距离，mm选点方案D04.5174.5264.5264.5284.53024.5174.5264.5264.5284.53044.5164.5254.5264.5284.5304.5154.5254.5264.5284.5304.5144.5254.5264.5284.530104.5114.52d4.5254.5284.530出4.5074.5244.5254.5284.5304.5014.5234.5244.5284.530164.4914.5224.5244.5274.529184.4724.5214.5234,5274.529204.4014.5204.5214.5274.529224.3114.5174.5194.5264.529243.6964.5144.5174.5264.529264.5044.5144.5254.529284.5014.5094.5244.5284.4864.5014.5234.5284.4574.4864.5214.528344.3804.4554.5194.5284.0664.3744.5154.527382.2834.0324.5104.5264.5024.525424.4884.524444.4584.5224.3774.520学4.0374.517%4.5134.506一-4.4944.46958-4.409604.188
