硅单晶退火片 GBT 26069-2022.pdf

GB/T26069-20223.2技术代technology generation在集成电路制造中特定工艺的特征尺寸，即由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸。注：技术代也称为技术节点。4分类退火片按技术代分为180nm、130nm、90nm、65nm、45nm,32nm和22nm七种规格，其他规格由供需双方协商确定。5技术要求5.1基本要求退火片的基本要求应符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508及表1的规定。除导电类型、电阻苹外的基本要求指标，仅由供方提供各项检验结果。表1基本要求技术代180nm130nm90 nm65 nm45 nm32 nm22 nm生长方式直拉法(CZ)或磁场拉品法(MCZ)品向品向偏离度00.5导电类型p指杂剂品体中共渗杂无摻杂或由供需双方协商确定的氨或碳的共挎杂电阻率（中心点）供需双方协商确定径向电阻率变化20%氧含量供需双方协商确定径向氧含量变化10%（距边缘10mm)碳含量2.5X10“cm-3(0.5ppma)品体缺陷（位错、系属结构、无李品、漩涡等)标志选择字母数字刻字或供需双方协商确定主参考面或切口品向士1或供需双方协商确定边缘轮廓供需双方协商确定边缘抛光供需双方协商确定正表面薄膜无外吸杂无背封无背表面状态供需双方协商确定抛光