硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GBT 1552-1995.pdf

UDC669.7821.783621.317.33H21G中华人民共和国国家标准GB/T1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法Test method for measuring resistivity of monocrystal siliconand germanium with a collinear four-probe array1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布GB/T1552-19953.1.1探针，用钨、碳化钨或高速钢等金属制成，针尖呈圆锥型，夹角为45150，尖端初始标称半径为25504m.3.1.2探针压力，每根探针压力为1.75士0.25N,或4.00.5N。3.1.3绝缘性，一探针（包括连接弹簧和外部引线）与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于10n。3.1.4探针排列和间距，四根探针的尖端应成等间距直线排列。仲裁测量时，探针间距（相邻探针之间的距离)标称值应为1mm。用于圆片仲裁测量时，探针间距标称值也可为1.59mm.探针间距按5.2条测定。3.1.5探针架，能在针尖几平无横向移动的情况下使探针下降到试样表面。3.2电学测量装置由下列几部分组成。3.2.1任何满足5.3.7条要求的电路均可用来进行电学测量。推荐电路（见图2）包括下述几部分。电位选择开关恒流美数字电表0.001100m电瓶送择开关图2推荐电路图3.2.1.1恒流源，电流范围为10-1106A,纹波系数不大于士0.1%，稳定度优于士0.05%。3.2.1.2电流换向开关。3.2.1.3标准电阻，0.011000000,0.05级。3.2.1.4双刀双掷电位选择开关，图2推荐电路需要这一开关来选择测量标准电阻或试样上电势差。3.2.1.5数字电压表，可用来测量以毫伏为单位的电势差，或者连同电流源一起校准到能直接读出电压-电流比值。测量满量程为0.2mV50mV,分辨率为士0.05%(3位有效数字)，输入阻抗大于10倍试样电阻率。注：如试样电阻率仅限定在某一数值范围内，一个较小满量程范围就足够了3.2.2模拟测试电路，连接图3所示的五个电阻，以检验电学测量装置。图3四探针测量模拟电路3.3样品架/台，用于固定试样的合适夹具。3.4散热器，用一直径至少为100mm,厚为38mm的铜块来支承圆片试样和起散热器作用（图4）。它应包含一个容纳温度计的小孔，使温度计能放置在离试样10mm范围内的散热器中心区。散热器上放一片10254m厚的云母片，使试样和散热器电绝缘。在云母片和铜块间、温度计孔中填充矿物油和有2