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表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法 GBT 41064-2021.pdf
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表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法 GBT 41064-2021 表面 化学分析 深度 剖析 单层 多层 薄膜 测定 射线
GB/T41064-2021/1S017109:2015表面化学分析深度剖析用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法1范围本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法,即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率,用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能普(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIS)进行深度分析时,这种方法对于厚度在20nm200nm之间的膜层具有5%一10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间,可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的高子溅射速率,从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件:不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。ISO14606表面化学分析溅射深度剖析用层状膜系为参考物质的优化方法(Surface chemicalanalysis-Sputter depth profiling-Optimization using layered systems as reference materials)注:GB/T20175一2006表面化学分析溅射深度削析用层状膜系为参考物质的优化方法(1S014606:2000,IDT)3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1上平台pper plateau强度超过该层特征信号最大强度的95%并覆盖超过该层厚度一半的区域。3.2下平台lower plateau强度低于该层特征信号最小强度与5%最大强度之和并覆盖超过该层厚度一半的区城。4单层和多层薄膜参考物质的要求4.1多层薄膜中每层膜厚度和单层薄膜厚度应远大于离子溅射总射程和该方法测得的深度信息值,以便进行深度剖析时每层都能出现一个上平台和下平台。投影射程可以使用从hp:/www,srim.org)获得的SRM代码简单算出。

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