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半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 GBT 14031-1992.pdf
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半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 GBT 14031-1992 半导体 集成电路 模拟 锁相环 测试 方法 基本原理 14031 1992
UDC621.382L55GB中华人民共和国国家标准GB/T14031-92半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理General principles of measuring methods ofanalogue phase-loop for semiconductorintegrated circuits1992-12-18发布1993-08-01实施国家技术监督局,发布GB/T14031-92电源数被测器件计器定领元件外围阿格图32.3.3测试条件测试期间,下列测试条件应符合被测器件详细规范的规定。a.环境温度;b.电源电压;c.外围网络:d.压控振荡器外接定颜电阻、定频电容。2.3.4测试程序2.3.4.1将被测器件接入测试系统。2.3.4.2接通电源。2.3.4.3用数字频率计读出实际频率值f。2.3.4.4按式(2)计算中心频率偏差:,=100%*4tt(2)式中:f实测频率;f。一中心颍率设计值。2.4中心颏率温度系数,2.4.1目的在规定工作温度范围内,测试单位温度变化所引起的压控振荡器中心频率的相对变化。2.4.2测试原理中心频率温度系数测试原理图如图4所示。将被测器件置于恒温系统中。4

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