单晶硅太阳电池总规范 GBT 12632-1990.pdf

中华人民共和国国家标准单晶硅太阳电池总规范GB12632-90General specification of singlesilicon solar cells1主题内容与适用范围本规范规定了未封装的硅太阳电池的一般要求。本规范适用于地面、航天应用的单晶硅太阳电池。2引用标准GB1550硅单晶导电类型测定方法GB1551硅单晶电阻率直流二探针测量方法GB1552硅单晶电阻率直流四探针测量方法GB1553硅单品寿命直流光电导衰退测量方法GB1554硅单晶(111)晶面位错蚀坑腐蚀显示测量方法GB1555硅单晶晶向光图测量方法GB1556硅单晶晶向X光衍射测量方法GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）GB2829周期检查计数抽样程序及抽样表（适用于生产过程稳定性的检查）GB.6494航天用太阳电池电性能测试方法GB6495地面用太阳电池电性能测试方法3技术要求3.1设计和结构3.1.1基体设计按产品详细规范要求，选用单晶硅片为基体材料和制备有光电效应的PN结。3.1.2电极根据电池使用条件的要求，设制有一定形状尺寸的单层或多层金属结构系统的上、下电极，其热膨胀系数应与硅基体材料相匹配，接触电阻小，有良好的导电性和可焊性，有效光照面积不小于90%。3.1.3减反射膜为减少光反射，提高输出功率，电池光照面应设制减反射膜。减反射膜材料的光学性质应与电池相匹配，要求层数应在产品详细规范中规定。3.1.4电极焊接区电池的上电极应设制有电极焊接区，电极焊接区的厚度、光洁度、导电性、热物理性能、形状尺寸、选材、力学疲劳强度应在产品详细规范中规定。3.1.5尺寸和重量电池的尺寸和重量应在产品详细规范中规定。国家技术监督局1990-12-28批准1991-10-01实施1