半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 GBT 42271-2022.pdf

GB/T42271-2022半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法1范围本文件描述了半绝缘碳化硅单品的电阻率非接触测试方法。本文件适用于测量电阻率范围为1103cm1102cm的半绝缘碳化硅单品片。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语GB/T30656碳化硅单品抛光片3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4原理非接触式电阻率测试采用电容充放电原理。首先对样品进行瞬时充电，再利用仪器实时监测放电过程中的电量，从而得到其变化的弛豫曲线，之后对该曲线进行数学分析得到弛豫时间（），最后通过弛豫时间(x)计算出半绝缘碳化硅单晶的电阻率，5试验条件5.1测试过程中用的测试机台应无振动、无电磁干扰且良好接地。5.2温度：(233)，相对湿度(RH):60%土20%，6干扰因素6.1不同的光强，对电阻率的测试结果有影响，在测试过程中应关闭设备的遮光罩。6.2静电、振动测试环境对电阻率的测试结果有彩响，测试过程中应采取严格的屏被措施。6.3样品表面、吸附载物台及則试探头上的颗粒沾污会影响半绝缘碳化硅单品片的电阻率，测试前应确认样品表面、吸附载物台及测试探头无肉眼可见的大颗粒沾污。6.4样品厚度的变化会对电阻率的测试结果有影响，测试前应确保样品厚度均匀。