半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 GBT 4589.1-2006.pdf

GB/T4589.1-2006/1EC60747-10:1991前言本部分是半导体器件系列国家标准之一。下面列出本系列已出版的国家标准：一GB/T12560一1999半导体器件分立器件分规范一GB/T17573一1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则一GB/T4023一1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管一GB/T6571一1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管一GB/T20516一2006半导体器件分立器件第4部分：微波器件一GB/T15291一1994半导体器件第6部分：晶闸管一GB/T4587一1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型品体管一GB/T4586一1994半导体器件分立器件第8部分：场效应品休管一GB/T16464一1996半导体器件集成电路第1部分：总则一GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路一GB/T17940一2000半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路一GB/T12750一1991半导体集成电路分规范（不包括混合电路）GB/T8976一1996膜集成电路和混合膜集成电路总规池一GB/T11498一1989膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用鉴定批准程序）一GB/T16465一1996膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用能力批准程序）本部分等同采用IEC60747-10:1991(QC700000)半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范（英文版）。同时将下列三个修改单的有关内容纳人其中：-Amendement 1(1995-02);-Amendement 2(1996-02):-Amendement 3(1996-08).本部分代替GB/T4589.1一1989半导体器件分立器件和集成电路总规范.本部分与GB/T4589.1一1989相比，主要变化如下：一2.1条优先顺序中“空白详细规范”排在了“族规范”之前；一2.2条有关文件中删除了与IEC147、IEC148有关的标准，增加了IEC60747-5:1984、IEC60747-11:1985、IEC60748-1:1984、IEC60748-2:1985、1EC60748-3:1986、1EC60748-11:1990等有关标准，同时1S02015:1976被1S08601:1988替代，1S01000的年代号更新为1981，IS02859的年代号更新为1989：一增加了2.8“注意事项”的内容：一增加了3.10“加速试验程序”、3.11“能力批准”和4.2“破坏性试验的定义”等相关内容：一增加了附录D(资料性附录)“按ppm(百万分之一)评价质量水平”：一对第3.9.51)的内容进行了变更：一对第4章“电测试”内容进行了调整，本章内容也适用于光测试，因此该章所有“电测试”改为“电测试和光测试”：一对第4章中正文参考的标准，如IEC60747-2、IEC60747-5,本部分删除该标准号及其相关内容：一附录B“需检查的尺寸”中对集成电路部分进行了周整。本部分2.2有关文件中与EC标准相对应等同采用的国家标准是：