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半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 GBT 21039.1-2007.pdf
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半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 GBT 21039.1-2007 分立 器件 部分 微波 二极管 晶体管 场效应 空白 详细 规范 21039.1
GB/T21039.1-2007/1EC60747-4-1:2000前言本部分是半导体器件分立器件系列国家标准之一。下面列出本系列已有的和正在制定的国家标准:一GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范:一GB/T12560一1999%半导体器件分立器件分规范:一GB/T17573一1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则:一GB/T4023一1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管:一GB/T6571一1995半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管:一GB/T20516一2006半导体器件分立器件第4部分:微波器件:一GB/T21039.1一2007半导体器件分立器件第4-1部分:微波二极管和品体管微波场效应品体管空白详细规范:一GB/T15291一1994半导体器件第6部分:品闸管:一GB/T4587一1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型品体管3:一GB/T4586一1994半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管:一半导休器件分立器件第9部分:绝缘册双极型品体管,本部分等同采用1EC60747-4-1:2000半导体器件分立器件第4-1部分:微波二极管和晶体管微波场效应品体管空白详细规范(英文版)。为了便于使用,本部分作了如下编辑性修改:a)用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”:b)删除国际标准的前言;c)第7章订货资料“3.7规定的质量评定类别”和“36规定的筛选顺序”原文中章条号编辑性错误,应为“3.8规定的质量评定类别”和“3.7规定的筛选顺序”:d)第8章试验条件和检验要求“,引用或重新规定GB/T12560一1999中3.8的数值,”原文中章条号编辑性错误,应为“,引用或重新规定GB/T12560一1999中3.7的数值,”;)C3分组检验要求极限中“无损坏”,原文编辑性错误,应为“无损坏”:D经比较本部分C8分组的引用标准IEC60747-8-1附录1在内容上与本部分附录A一致,因此本部分中C8分组的引用标准改为本部分附录A。本部分中引用的国家标准对应等同采用的IEC标准是:国家标准编号IEC标准编号GB/T4589.1-20061EC60747-10(1991)GB/T20516-20061EC60747-4(2001)GB/T12560-19991EC60747-11(1985)本部分中引用的国家标准及试验方法号相对应等同采用的IEC标准中的试验方法是:国家标准编号及方法号正C标准试验方法号GB/T4586-19944.2T-071GB/T4586一19944.5T-074GB/T4586-19944.3T-072GB/T4587一19954.1.13.6T-044

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