低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GBT 13539.4-2009.pdf

GB/T13539.4-2009/1EC60269-4:2006前言GB13539低压格断器预计分为五个部分：一第1部分：基本要求：一第2部分：专职人员使用的熔断器的补充要求（主要用于工业的熔断器）标准化熔断器系统示例A至1，一第3部分：非熟练人员使用的熔断器的补充要求（主要用于家用和类似用途的熔街器）标准化熔断器系统示例A至F:一第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求：一第5部分：低压熔断器应用指南。本部分为GB13539的第4部分，本部分等同采用1EC60269-4:2006低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求（英文版）。为便于使用，本部分作了下列编辑性修改一明除国际标准的前言和引言：一除原表、图及部分条款下的编辑性注释：一原7.4中倒数第二行“熔体不应熔化”疑有误，改为“熔断体不应熔断”一原图102“约定试验装置举例”中右图上标疑有误，改为。本部分与GB13539.1一2008一起使用。本部分的条款号与GB13539.1相对应。本部分代替GB/T13539.4一2005低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求和GB/T13539.7一2005低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求第1至3篇：标准化熔断体示例。本部分主要由原GB/T13539.4及GB/T13539.7全部内容合并而成。本部分与GB/T13539.4一2005和GB/T13539.7一2005相比主要变化如下：一原GB/T13539.4一2005中附求A规范性附求改为资料性附水，原附求B资料性附求改为规范性附录：原GB/T13539.7一2005内容改为本部分附录C内容：图C.2表中原“F最大值”改为“F名义值”：一图C.7表中最后一栏H最大值倒数第6行，原为“0.4”，现改为“33.4”。本部分的附录B、附录C为规范性附录，附录A为资料性附录。本部分由中国电器工业协会提出。本部分由金国熔断器标准化技术委员会(SAC/TC340)归口，本部分负责起草单位：上海电器科学研究所（集团）有限公司。本部分参加起草单位：上海电器陶瓷厂有限公司、西安西整熔断器厂、浙江西熔电气有限公司、人民电器集团有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司。本部分主要起草人：季慧玉、吴庆云。本部分参加起草人：林海鸥、刘双库、李全安、郎建才、黄章武、郑爱国。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：-GB13539.4-1992、GB/T13539.4-2005:-GB/T13539.7-2005。