低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 GBT 34481-2017.pdf
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低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度EPD的测量方法
GBT
34481-2017
低位
密度
晶片
腐蚀
EPD
测量方法
34481
2017
GB/T34481-2017式中：na一单个测量点的腐蚀坑密度，单位为个每平方厘米（个/cm2):一穿过视场面积s的腐蚀坑数目，单位为个：s一视场面积（确定测量点，放大200倍），单位为平方厘米（m2)。平均位错腐使坑密度N,按式(2)计算：(2）=1式中：N.一平均位错腐蚀坑密度，单位为个每平方厘米（个/cm2)。7精密度N:、V,为不同检测实险室对相同错单品测试片37个区域选取的37个测量点所检测的平均位错密度，检测结果的允许误差应在20%以内，具体见表1。表1范围允许误差诸单品测试片上37个测量点的EPD平均值-20%(N,-N:)/N:20%8试验报告试验报告应包括以下内容：a)试样编号；b)本标准编号：)测试结果（包括各个测量点的腐蚀坑密度和平均腐蚀坑密度）：d)试验者和试验日期等。
