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LED外延芯片用砷化镓衬底 GBT 30856-2014.pdf
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LED外延芯片用砷化镓衬底 GBT 30856-2014 LED 外延 芯片 用砷化镓 衬底 30856 2014
GB/T30856-2014前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口.本标准主要起草单位:中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆品体材料有限公司。本标准主要起草人:赵有文、提刘旺、林泉、于洪国、惠峰、赵坚强。

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