采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 GBT 32651-2016.pdf

GB/T32651-2016前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准主要起草单位：国家太阳能光伏产品质量监督检险中心（无锡市产品质量监督检险中心）、江苏中能硅业科技发展有限公司、国家硅材料深加工产品质量监督检验中心、江西赛维IDK太阳能高科技有限公司、中国电子技术标准化研究院。本标准主要起草人：何莉、吴建国、王琴、周滢、刘晓霞、鲁文锋、陈进、封丽娟、李建德、黄雪雯、孙绍武、冯亚彬、裴会川。GB/T32651-20164方法原理将试样安装到辉光放电质谱仪的样品室中做为阴极进行辉光放电，其表面原子被惰性气体（例如：高纯氩气)在高电压下产生的离子撞击发生溅射，试样溅射产生的原子扩散至等离子体中离子化后被导入质谱仪，质谱仪根据质荷比将不同离子分离开，最后由离子检测器进行检测并计数。在每一待测元素选择的同位素质量数处以预设的仪器工作参数（例如：扫描点数和积分时间）对相应谱峰积分，所得面积即为谱峰强度。进行半定量分析时，控制仪器操作的计算机根据仪器软件中的“典型相对灵敏度因子”自动计算出各元素的质量分数；进行定量分析时，通过在与被测试样相同的分析条件、离子源结构以及测试条件下对标准样品进行独立测定获得相对灵敏度因子，应用该相对灵敏度因子计算出各元素的质量分数。5试剂和材料5.1去离子水：符合GB/T6682-2008规定的实验室用二级水。5.2硝酸：p=1.42 g/mL,光谱纯。5.3氢氟酸：p=1.14g/mL,光谱纯。5.4异丙：p=0.784 g/mL0.786g/mL,光谱纯。5.5硝酸溶液：1+9。5.6氢氟酸溶液：1+4。5.7氩气：符合GB/T4842的要求，并且等离子体工作用氩气的纯度（体积分数）应大于或等于99.999%,吹扫用氩气的纯度（体积分数）应大于或等于99.99%。5.8氮气：纯度（体积分数）大于或等于99.99%。5.9仪器检测器校正标准样品：高纯钽材料或其他材料（例如硅材料），能使仪器产生同时位于不同检测器线性动态范围内的稳定信号，用于在相同分析中使用不同的离子收集器测量离子流的情况下检定高分辨率辉光放电质谱仪检测系统的离子计数效率。5.10质量校正标准样品：已知化学成分的黄铜合金材料，用于对辉光放电质谱仪进行精确质量校正。5.11硅标准样品：可以量值溯源的均质的纯硅材料或其他硅基材料（例如各种硅化物），用于获得各种被测元素的高质量分辨率辉光放电质谱法相对灵敏度因子。5.12控制样品：已知被测元素含量且与试样具有相同的规格和结构。6仪器设备6.1辉光放电质谱仪：质量分辨率大于3500。6.2制样设备：能够将试样加工成满足仪器要求的形状和大小，并使其具有平坦光滑的表面，包括切割机、压片机、磨抛机、超声清洗机等。7测试环境7.1温度：2025，温度波动每小时不超过2。7.2相对湿度：不大于65%。2