综述与专论合成纤维工业，2023，46(2):50CHINASYNTHETICFIBEＲINDUSTＲY收稿日期:2022-04-07;修改稿收到日期:2022-12-08。作者简介:穆丹(1999—)，女，硕士研究生。主要从事静电纺无机纳米材料的研究。E-mail:1263849808@qq．com。基金项目:国家自然科学基金项目(52202110);西安市科技计划先进制造业技术攻关项目(21XJZZ0012);陕西省重点研发计划项目(2022SF-201)。*通信联系人。E-mail:maoxue@xpu．edu．cn。In2O3纳米材料的制备及研究现状穆丹1，2，濮从政1，2，郝栋连1，2，张坤1，2，毛雪1，2*(1．西安工程大学纺织科学与工程学院，陕西西安710048;2．西安工程大学功能性纺织材料及制品教育部重点实验室，陕西西安710048)摘要:综述了近年来氧化铟(In2O3)纳米材料的制备工艺及研究现状，并对其发展进行了展望。In2O3纳米材料制备方法主要包括溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、模板法、水热法及静电纺丝法等，其中溶胶-凝胶法因其制备周期长、过程复杂而逐步被新技术取代;化学气相沉积法和模板法均存在原料成本高的问题;水热法对于参数调控较多，实验可重复性低;静电纺丝法可制备多种形态的In2O3纳米材料，但产品强度低、独立使用性不高，无法大规模生产。In2O3作为优异的半导体材料，在气体传感器、太阳能电池及光催化领域具有良好的应用前景。在未来In2O3纳米材料的发展中，可从新型结构设计及满足独立使用方面进一步探索。关键词:半导体材料氧化铟纳米材料制备方法应用中图分类号:TQ342+．89文献标识码:A文章编号:1001-0041(2023)02-0050-05氧化铟作为一种典型半导体功能性氧化物，其最稳定的存在形式为三氧化二铟(In2O3)，该氧化物为白色或淡黄色粉末状，具有较高的熔点(2000℃)，不溶于水，但易溶于热酸和浓碱，其晶体存在形式为立方晶型和六方晶型，其中较常见且稳定的晶体结构为立方晶型［1］。目前In2O3无法从自然界直接获取，通常采用化学合成法实现高纯度工业化制备，按其合成原理可将制备方法分为两类:一种是利用金属铟在空气中燃烧，通过控制还原条件制得;另一种是将铟盐(包括硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟等)在空气中进行高温煅烧制得。In2O3纳米材料广泛应用于气体传感器、太阳能电池及光催化等领域。常见的In2O3纳米材料包括纳米粉体、纳米线、纳米棒和纳米膜等［2］，其制备方法也不尽相同，目前使用较广泛的有溶胶凝胶法［3－4］、化学沉积法［5］、模板法［6］、水热法［7］、静电纺丝法［8－10］，应用范围较小的方法如热蒸发法［11］...
