第40卷第1期量子电子学报Vol.40No.12023年1月CHINESEJOURNALOFQUANTUMELECTRONICSJan.2023DOI:10.3969/j.issn.1007-5461.2023.01.007基基基于于于阱阱阱式式式阶阶阶梯梯梯电电电子子子阻阻阻挡挡挡层层层的的的深深深紫紫紫外外外激激激光光光二二二极极极管管管性性性能能能研研研究究究魏士钦1,王瑶1,王梦真1,王芳1,刘俊杰1,刘玉怀1,2,3∗(1郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南郑州450001;2郑州唯独电子科技有限公司,河南郑州450001;3郑州大学产业技术研究院有限公司,河南郑州450001)摘要:为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯形三种不同的结构分别进行了仿真研究,详细对比分析了三种结构器件的能带图、辐射复合率、电子空穴浓度、P−I以及V−I特性等,结果表明阱式阶梯EBL对电子的泄露抑制效果最好,从而使得器件的光学和电学性能得到优化。关键词:激光技术;深紫外激光二极管;AlGaN;阱式阶梯电子阻挡层;电子泄露中图分类号:O472文献标识码:A文章编号:1007-5461(2023)01-00062-07Performanceofdeepultravioletlaserdiodebasedonwell-typeladderelectronbarrierWEIShiqin1,WANGYao1,WANGMengzhen1,WANGFang1,LIUJunjie1,LIUYuhuai1,2,3∗(1NationalCenterforInternationalJointResearchofElectronicMaterialsandSystems,SchoolofInformationEngineering,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450001,China;2ZhengzhouWayDoElectronicsTechnologyCo.Ltd.,Zhengzhou450001,China;3IndustrialTechnologyResearchInstituteCo.Ltd.,ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450001,China)Abstract:Inordertoeffectivelyreducetheelectronleakageofdeepultravioletlaserdiode(DUV-LD)intheactiveregion,awell-typeladderelectronblockinglayer(EBL)structureisproposed.CrosslightsoftwareisusedtosimulatethreedifferentstructuresofEBLs,namely,rectangletype,laddertypeandwell-type,respectively,andtheenergybanddiagram,radiationrecombinationrate,electronholeconcentration,P-IandV-Icharacteristicsofthethreestructuredevicesarecomparedandanalyzedin基金项目:国家重点研发计划(2016YFE0118400),宁波市“科技创新2025”重大专项(2019B10129)作者简介:魏士钦(1996-),河南平顶山人,研究生,主要从事氮化物半导体深紫外光源方面的研究...
