第45卷第4期（总第361期）电镀与精饰2023年4月功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响李兆营*（安徽光智科技有限公司，安徽滁州239000）摘要：采用直流磁控溅射方法在长有300nm厚的Si3N4薄膜的Si（100）晶圆上制备了氧化钒薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结果表明：不同功率沉积的氧化钒薄膜均为非晶结构，薄膜主要成分为VO2和V2O5；随着功率的提高，薄膜的平均粗糙度降低，V2O5的含量升高，进而导致电阻温度系数绝对值也随之增大。关键词：氧化钒薄膜；功率；直流磁控溅射；电阻温度系数中图分类号：TN305.92文献标识码：AEffectofpoweronelectricalpropertiesofvanadiumoxidethinfilmspre‐paredbydirectcurrentmagnetronsputteringLiZhaoying*（VitalOpticsTechnologyCo.，Ltd.，Chuzhou239000，China）Abstract：VanadiumoxidethinfilmswerepreparedonSi（100）waferswith300nmthickSi3N4filmsbydirectcurrentmagnetronsputtering.Theeffectsofdifferentpoweronthecrystalstructure，composi‐tion，surfacemorphologyandelectricalpropertiesofthefilmswereanalyzedbyX-raydiffraction（XRD），X-rayphotoelectronspectroscopy（XPS），atomicforcemicroscopy（AFM）andprobemeth‐od.Theresultsshowthatthevanadiumoxidefilmsdepositedatdifferentpowerareamorphous，andthemaincomponentsofthefilmsareVO2andV2O5.Withtheincreaseofpower，theaverageroughnessofthefilmdecreases，andthecontentofV2O5increases，whichleadstotheincreaseoftheabsolutevalueofthetemperaturecoefficientofresistance.Keywords：vanadiumoxidethinfilm；power；directcurrentmagnetronsputtering；temperaturecoeffi‐cientofresistance钒与氧可形成不同价态的氧化物［1-3］，且有多种氧化钒具有从金属相到半导体相的转换特性，其转换温度也有所不同，比如V2O3的相变温度为－123℃，VO2为68℃，V2O5为257℃。在发生相转变时，氧化钒的电阻会随温度变化发生突变。利用这一特性，可将氧化钒用于非制冷红外测热辐射计领域［4-5］。目前，制备氧化钒薄膜的方法虽然有脉冲激光沉积法［6］、化学气相沉积法［7］、溶胶-凝胶法［8］等，但是用磁控溅射法［9-10］制备的氧化钒薄膜具有质量较高、参数容易控制、适合大面积连续生产等优点，...
