第４４卷，第４期红外ｈｔｔｐ：／／ｊｏｕｒｎａｌ．ｓｉｔｐ．ａｃ．ｃｎ／ｈｗＩＮＦＲＡＲＥＤ（ＭＯＮＴＨＬＹ）／ＶＯＬ．４４，ＮＯ．４，ＡＰＲ２０２３文章编号：１６７２⁃８７８５（２０２３）０４⁃０００１⁃０６ＩｎＡｓ／ＧａＳｂＩＩ类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究温涛１胡雨农１李景峰１赵成城１王国伟２刘铭１（１．华北光电技术研究所，北京１０００１５；２．中国科学院半导体研究所，北京１０００８３）摘要：分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为３２０×２５６、像元中心距为３０ｍ的ＩｎＡｓ／ＧａＳｂⅡ类超晶格长／长波双色红外焦平面器件，并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比研究。总结了采用干法工艺和湿法工艺制备双色ＩｎＡｓ／ＧａＳｂⅡ类超晶格焦平面器件的特点。该研究对ＩｎＡｓ／ＧａＳｂⅡ类超晶格焦平面器件的研制具有参考意义。关键词：ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ；Ⅱ类超晶格；焦平面；双色中图分类号：ＴＮ２１５文献标志码：ＡＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７２⁃８７８５．２０２３．０４．００１收稿日期：２０２２⁃１０⁃３１作者简介：温涛（１９８２⁃），男，山西晋中人，高级工程师，主要从事红外探测器器件方面的研究。Ｅ⁃ｍａｉｌ：ｗｅｎｔａｏ３＠ｃｅｔｃ．ｃｏｍ．ｃｎＣｏｍｐａｒａｔｉｖｅＳｔｕｄｙｏｎＤｒｙ／ＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＩｎＡｓ／ＧａＳｂＴｙｐｅ⁃ＩＩＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅＤｕａｌ⁃ＣｏｌｏｒＩｎｆｒａｒｅｄＦｏｃａｌＰｌａｎｅＤｅｖｉｃｅｓＷＥＮＴａｏ１，ＨＵＹｕ⁃ｎｏｎｇ１，ＬＩＪｉｎｇ⁃ｆｅｎｇ１，ＺＨＡＯＣｈｅｎｇ⁃ｃｈｅｎｇ１，ＷＡＮＧＧｕｏ⁃Ｗｅｉ２，ＬＩＵＭｉｎｇ１（１．ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏ⁃Ｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ；２．ＩｎｓｔｉｔｕｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００８３，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＩｎＡｓ／ＧａＳｂｔｙｐｅ⁃ＩＩｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｌｏｎｇ⁃ｗａｖｅ／ｌｏｎｇ⁃ｗａｖｅｄｕａｌ⁃ｃｏｌｏｒｉｎｆｒａｒｅｄｆｏｃａｌｐｌａｎｅｄｅｖｉｃｅｓｗｉｔｈａｎａｒｒａｙ...
