第60卷第4期微纳电子技术Vol.60No.42023年4月MicronanoelectronicTechnologyApril2023■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■加工、测量与设备DOI:10.13250/j.cnki.wndz.2023.04.014收稿日期:2022-11-14基金项目:国家自然科学基金青年基金(12002133);江苏省科技计划项目基金青年基金(BK20200590);江南大学基本科研计划青年基金(JUSRP121040);纳智能材料器件教育部重点实验室开放课题基金NJ2022002(INMD-2022M02)通信作者:吴宏荣MoS2/MoO2共形异质结构的制备、表征及其生长机理李娜,于培师,吴宏荣(江南大学机械工程学院,江苏无锡214122)摘要:作为典型的二维层状半导体材料,MoS2及其异质结构在后摩尔时代的电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景。以MoO3为前驱体,利用化学气相沉积法(CVD)先制备了MoO2纳米片,随后使用硫蒸气对其进行硫化合成了含2~4层MoS2的MoS2/MoO2的共形异质结构。通过X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱对MoS2/MoO2共形异质结构进行表征,确定了MoS2的层数随硫化时间的变化关系,即随着硫化时间的延长,MoS2层数逐渐增加。利用原子力显微镜(AFM)对异质结构的厚度表征结果发现,硫化后纳米片厚度有所减薄,并且随着硫化时间的增加,MoO2纳米片硫化前后的厚度差呈现出反常的先下降后上升的趋势。最后通过高分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)对MoS2/MoO2共形异质结构截面进行表征,并揭示了硫化机理。关键词:MoO2纳米片;MoS2/MoO2共形异质结构;化学气相沉积法(CVD);硫化机理;硫化中图分类号:TB383文献标识码:A文章编号:1671-4776(2023)04-0595-07Fabrication,CharacterizationandGrowthMechanismofMoS2/MoO2ConformalHeterostructuresLiNa,YuPeishi,WuHongrong(SchoolofMechanicalEngineering,JiangnanUniversity,Wuxi214122,China)Abstract:Asatypicaltwo-dimensionallayeredsemiconductormaterial,MoS2anditsheterostructureshaveawideapplicationprospectinthefieldofelectronicsandoptoelectronicsinthepost-Mooreera.MoO2nanosheetswerepreparedbychemicalvapordeposition(CVD)withMoO3astheprecursor,andthenweresulfurizedwithsulfursteamtosynthesizeMoS2/MoO2conformalheterostructureswith2-4layersMoS2.MoS2/MoO2conformalheterostructureswerecharacterizedbyX-rayphotoelectronspectroscopy(XPS)andRamanspectroscopy,andtherelationshipbetweenthelayernumberofMoS2andthesulfurizationtimewasdetermi...
