www.ChinaAET.comMicroelectronicTechnology微电子技术960~1400MHz宽带功率放大器设计程素杰1，2，姚小江1，2，丛密芳3，王为民1，2，高津1，2（1.南京邮电大学集成电路科学与工程学院，江苏南京210023；2.南京邮电大学镇江研究院，江苏镇江212002；3.中国科学院微电子研究所，北京100029）摘要：基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，研制了一款应用于L波段的宽带射频功率放大器。该放大器共由2级放大级联组成，为了实现宽带以及良好的输出驻波，末级功放采用平衡式拓扑电路结构；级间匹配网络使用微带线及电容混合匹配方法实现宽带匹配。最终实测数据如下：频率覆盖0.96GHz~1.4GHz，功放整体输出功率达到50dBm（100W），功率增益大于30dB，效率大于45%。功率回退8dB，输出功率42dBm时，邻信道功率比（ACPR）为-40dBC。指标表明功放模块能够很好地应用于雷达和无线通信发射机中。关键词：横向扩散金属氧化物半导体；L波段；宽带；级联中图分类号：TN722.75文献标志码：ADOI:10.16157/j.issn.0258-7998.223362中文引用格式：程素杰，姚小江，丛密芳，等.960~1400MHz宽带功率放大器设计[J].电子技术应用，2023，49(4)：52-56.英文引用格式：ChengSujie，YaoXiaojiang，CongMifang，etal.Designof960~1400MHzbroadbandpoweramplifier[J].Appli‐cationofElectronicTechnique，2023，49(4)：52-56.Designof960~1400MHzbroadbandpoweramplifierChengSujie1，2，YaoXiaojiang1，2，CongMifang3，WangWeimin1，2，GaoJin1，2(1.CollegeofIntegratedCircuitScienceandEngineering，NanjingUniversityofPostsandTelecommunications，Nanjing210023，China；2.ZhenjiangResearchInstitute，NanjingUniversityofPostsandTelecommunications，Zhenjiang212002，China；3.InstituteofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China)Abstract：Basedonlaterallydiffusedmetal-oxide-semiconductor(LDMOS)devices,abroadbandRFpoweramplifierforL-bandwasdeveloped.Theamplifieriscomposedoftwostagesofamplificationandcascadeconnection.Inordertoachievebroadbandandgoodoutputstandingwave,thefinalstagepoweramplifieradoptsabalancedtopologycircuitstructure;theinter-stagematch‐ingnetworkusesthemicrostriplineandcapacitorhybridmatchingmethodtoachievebroadbandmatching.Thefinalmeasureddataareasfollows:thefrequency...
