EMC电磁兼容设计与测试桉例分析.pdf

G e n e r a l I n f o r m a t i o n 书名=E M C（电磁兼容）设计与测试案例分析作者=郑军奇编著页数=2 8 8S S 号=1 1 7 6 4 5 7 9出版日期=2 0 0 6 年1 2 月前言目录第1 章E M C 基础知识 1.1 什么是E M C 1.2 传导、辐射与瞬态 1.3 E M C 测试实质 1.3.1 辐射发射测试 1.3.2 传导骚扰测试 1.3.3 静电放电抗扰度测试 1.3.4 射频辐射电磁场的抗扰度测试 1.3.5 电快速瞬变脉冲群的抗扰度测试 1.3.6 浪涌的抗扰度测试 1.3.7 传导抗扰度测试 1.3.8 电压跌落、短时中断和电压渐变的抗扰度测试 1.4 理论基础 1.4.1 共模和差模 1.4.2 时域与频域 1.4.3 电磁骚扰单位分贝（d B）的概念 1.4.4 正确理解分贝真正的含义 1.4.5 电场与磁场第2 章结构屏蔽与接地 2.1 概论 2.1.1 结构与E M C 2.1.2 屏蔽与E M C 2.1.3 接地与E M C 2.2 相关案例分析 2.2.1 案例1：传导骚扰与接地 2.2.2 案例2：传导骚扰测试中应该注意的接地环路 2.2.3 案例3：辐射从哪里来？2.2.4 案例4：“悬空”金属与辐射 2.2.5 案例5：伸出屏蔽体的“悬空”螺柱造成的辐射 2.2.6 案例6：压缩量与屏蔽性能 2.2.7 案例7：开关电源中变压器初、次级线圈之间的屏蔽层对E M I 作用有多大？2.2.8 案例8：接触不良与复位 2.2.9 案例9：静电与螺钉 2.2.1 0 案例1 0：散热器与E S D 也有关系 2.2.1 1 案例1 1：怎样接地才符合E M C 2.2.1 2 案例1 2：散热器形状影响电源端口传导发射 2.2.1 3 案例1 3：数模混合器件数字地与模拟地如何接第3 章电缆、连接器与接口电路 3.1 概论 3.1.1 电缆是系统的最薄弱环节 3.1.2 接口电路是解决电缆辐射问题的重要手段 3.1.3 连接器是接口电路与电缆之间的通道 3.2 相关案例 3.2.1 案例1 4：由电缆布线造成的辐射超标 3.2.2 案例1 5：“P i g t a i l”有多大影响 3.2.3 案例1 6：接地线接出来的辐射 3.2.4 案例1 7：使用屏蔽线一定优于非屏蔽线吗？3.2.5 案例1 8：音频接口的E S D 案例 3.2.6 案例1 9：连接器选型与E S D 3.2.7 案例2 0：辐射缘何超标 3.2.8 案例2 1：数码相机辐射骚扰问题引发的两个E M C 设计问题 3.2.9 案例2 2：信号线与电源线混合布线的结果 3.2.1 0 案例2 3：电源滤波器安装要注意什么第4 章滤波与抑制 4.1 概论 4.1.1 滤波器及滤波器件 4.1.2 防浪涌电路中的元器件 4.2 相关案例 4.2.1 案例2 4：由H U B 引起的辐射发射超标 4.2.2 案例2 5：电源滤波器的安装与传导骚扰 4.2.3 案例2 6：输出口的滤波影响输入口的传导骚扰 4.2.4 案例2 7：共模电感应用得当，辐射、传导抗扰度测试问题解决 4.2.5 案例2 8：接口电路中电阻和T V S 对防护性能的影响 4.2.6 案例2 9：防浪涌器件能随意并联吗？4.2.7 案例3 0：浪涌保护设计要注意“协调”4.2.8 案例3 1：防雷电路的设计及其元件的选择应慎重 4.2.9 案例3 2：防雷器安装很有讲究 4.2.1 0 案例3 3：低钳位电压芯片解决浪涌问题 4.2.1 1 案例3 4：选择二极管钳位还是选用T V S 保护 4.2.1 2 案例3 5：铁氧体磁环与E F T/B 抗扰度第5 章旁路和去耦 5.1 概论 5.1.1 去耦、旁路与储能的概念 5.1.2 谐振 5.1.3 阻抗 5.1.4 去耦和旁路电容的选择 5.1.5 并联电容 5.2 相关案例 5.2.1 案例3 6：电容值大小对电源去耦效果的影响 5.2.2 案例3 7：芯片中磁珠与去耦电容的位置 5.2.3 案例3 8：静电放电干扰是如何引起的 5.2.4 案例3 9：小电容解决困扰多时的辐射抗扰度问题 5.2.5 案例4 0：空气放电点该如何处理？5.2.6 案例4 1：E S D 与敏感信号的电容旁路 5.2.7 案例4 2：磁珠位置不当的问题 5.2.8 案例4 3：旁路电容的作用 5.2.9 案例4 4：光耦两端的数字地与模拟地如何接 5.2.1 0 案例4 5：二极管与储能、电压跌落、中断抗扰度第6 章P C B 设计 6.1 概论 6.1.1 P C B 是一个完整产品的缩影 6.1.2 P C B 中的环路无处不在 6.1.3 P C B 中的数字电路中存在大量的磁场 6.1.4 P C B 中不但存在大量的天线而且也是驱动源 6.1.5 P C B 中的地平面阻抗与瞬态抗干扰能力有直接影响 6.2 相关案例 6.2.1 案例4 6：“静地”的作用 6.2.2 案例4 7：P C B 布线不当造成E S D 测试时复位 6.2.3 案例4 8：P C B 布线不合理造成网口雷击损坏 6.2.4 案例4 9：P C B 中多了1 c m 2 的地层铜 6.2.5 案例5 0：P C B 中铺“地”要避免耦合 6.2.6 案例5 1：P C B 走线宽度不够，浪涌测试中熔断 6.2.7 案例5 2：P C B 走线是如何将晶振辐射带出的 6.2.8 案例5 3：地址线引起的辐射发射 6.2.9 案例5 4：环路引起的干扰 6.2.1 0 案例5 5：局部地平面与强辐射器件 6.2.1 1 案例5 6：接口布线与抗E S D 干扰能力第7 章器件、软件与频率抖动技术 7.1 器件、软件与E M C 7.2 频率抖动技术与E M C 7.3 相关案例 7.3.1 案例5 7：器件E M C 特性和软件对系统E M C 性能的影响不可小视 7.3.2 案例5 8：软件与E S D 抗扰度 7.3.3 案例5 9：频率抖动技术带来的传导骚扰问题 7.3.4 案例6 0：电压跌落与中断测试引出电路设计与软件问题附录A E M C 术语附录B E M C 标准与认证