第43卷第1期2023年2月Vol.43，No.1Feb.，2023固体电子学研究与进展RESEARCH&PROGRESSOFSSE适用于低压EEPROM编程的双电荷泵电路系统设计李珂∗顾飞陈献文周威威（中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏，无锡，214000）2022‑06‑17收稿，2022‑09‑01收改稿摘要：设计了一款应用于低电源电压EEPROM的双电荷泵电路结构，提供存储单元编程所需的高压。基于传统Dickson结构，设计主次两级电荷泵结构：次级电荷泵为两级升压结构，输出电压可增强时钟的驱动能力、抬高其高电平；主级电荷泵采用传输管栅压提升的结构及驱动能力增强的时钟对内部电容进行充放电，提高主级电荷泵每级的传输能力及整体电路的工作效率，最终实现低电源电压下产生高压的目的。同时，通过使能时序控制稳压系统电路，保证了输出电压的稳定性。仿真结果显示，电荷泵升降压速度快、纹波小、效率高。该双电荷泵电路已实际应用于芯片设计中，采用0.18µmEEPROM工艺流片，输出高压稳定，达到设计要求，并且性能良好。关键词：双级电荷泵；振荡器；电平转换中图分类号：TN433文献标识码：A文章编号：1000‑3819(2023)01‑0078‑05DesignofDual‑chargePumpSystemAppliedinLow‑voltageEEPROMOperationLIKeGUFeiCHENXianwenZHOUWeiwei（TheN0.58ResearchInstituteofChinaElectronicTechnologyGroupCorp.，Wuxi，Jiangsu，214000，CHN）Abstract:Adual-chargepumpcircuitstructureforlowpowersupplyvoltageEEPROMwasde‑signedtoprovidehighvoltagerequiredfortheprogrammingoperationofmemoryunits.BasedonthetraditionalDicksonstructure，aprimaryandsecondarychargepumpstructurewasdesigned.Thesec‑ondarychargepumpwasatwo-stagebooststructurewithitsoutputvoltagecouldenhancedrivecapac‑ityandraisehighlevelvoltageoftheclock.Theprimarychargepumpusedthetransmissionstructurewithraisedgatevoltageandtheclockwithenhanceddrivecapacitytochargeanddischargetheinternalcapacitor，improvedthetransmissioncapacityoftheprimarychargepumpandtheworkingefficiencyoftheoverallcircuit.Finally，thepurposeofgeneratinghighvoltageunderlowpowervoltagewasre‑alized.Atthesametime，thevoltageregulatorcircuitwascontrolledbyenablesequencetoensurethestabilityoftheoutputvoltage.Simulationresultsshowthatthechargepumpisfast，smallrippleandhighefficiency.Thi...
