产城2023.01刊产经视野城市聚焦66半导体材料是芯片制作的基底，在应用领域以硅（Si）为主流。我国在半导体技术上一度处于相对落后的局面，直至第三代半导体出现，“换道超车”成为可能。电子科大科技园（天府园）入园企业成都蓉矽半导体有限公司（简称：蓉矽半导体），正是这条新赛道上的领先选手之一。“双碳”目标，打造新能源未来衬底碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击穿电场强度、高热传导率和高电子饱和速率等优异物理性能，SiC功率半导体器件在5G基站、光伏、新能源汽车等领域表现亮眼。在实现双碳目标的发展道路上，构建以新能源为主体的新型电力系统是关键途径，提高能效，开发、推广节能技术亦不可或缺。据预测，到2030年，我国年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，每年可以节约上万亿度的电，相当于10个三峡大坝的年发电总量。面对这一广阔的应用市场，蓉矽半导体董事长戴茂州早已瞄准时机。从神达到宏碁，戴茂州曾深入了解国际级系统公司整体蓉矽半导体的产品设计开发理念是不做通用型产品，而是基于客户的应用需求定义产品特性。蓉矽半导体，探行新能源时代的“芯”未来文/许冬琳产品开发流程，在美国混成讯号半导体公司SigmaTel和见华科技公司的任职经历以及多次创业、投资经验，使他得以敏锐洞察半导体市场的发展方向与规律。2019年，戴茂州创立成都蓉矽半导体有限公司，成为四川省首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件设计开发的高新技术企业。蓉矽半导体搭建了一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，利用台湾地区与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅功率半导体器件。厚积薄发，创新要讲究较真务实2021年8月，工信部将碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划。风向标的明确，催使行业竞争愈加激烈，唯有掌握核心优势的企业方能脱颖而出。2022年6月，历经三载，蓉矽半导体发布NovuSiC®EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列；9月再度INDUSTRY&CITY67品牌故事BRANDSTORIES举行新品发布会，推出第一代碳化硅NovuSiC®MOSFETG1，充分展示了独立自主研发能力。戴茂州说，“蓉矽半导体的座右铭是‘较真’。”早在2020年11月，蓉矽半导体就完成NovuSiC®EJBS™的第一次工程投片，良率超...
