蓉矽半导体探行新能源时代的“芯”未来_许冬琳.pdf

产城 2023.01 刊产经视野 城市聚焦66半导体材料是芯片制作的基底，在应用领域以硅（Si）为主流。我国在半导体技术上一度处于相对落后的局面，直至第三代半导体出现，“换道超车”成为可能。电子科大科技园（天府园）入园企业成都蓉矽半导体有限公司（简称：蓉矽半导体），正是这条新赛道上的领先选手之一。“双碳”目标，打造新能源未来衬底碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击穿电场强度、高热传导率和高电子饱和速率等优异物理性能，SiC 功率半导体器件在 5G 基站、光伏、新能源汽车等领域表现亮眼。在实现双碳目标的发展道路上，构建以新能源为主体的新型电力系统是关键途径，提高能效，开发、推广节能技术亦不可或缺。据预测，到 2030 年，我国年度用电总量将超过 10.5 万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，每年可以节约上万亿度的电，相当于 10 个三峡大坝的年发电总量。面对这一广阔的应用市场，蓉矽半导体董事长戴茂州早已瞄准时机。从神达到宏碁，戴茂州曾深入了解国际级系统公司整体蓉矽半导体的产品设计开发理念是不做通用型产品，而是基于客户的应用需求定义产品特性。蓉矽半导体，探行新能源时代的“芯”未来文/许冬琳产品开发流程，在美国混成讯号半导体公司 SigmaTel 和见华科技公司的任职经历以及多次创业、投资经验，使他得以敏锐洞察半导体市场的发展方向与规律。2019 年，戴茂州创立成都蓉矽半导体有限公司，成为四川省首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件设计开发的高新技术企业。蓉矽半导体搭建了一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，利用台湾地区与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合 IATF 16949 质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅功率半导体器件。厚积薄发，创新要讲究较真务实2021 年 8 月，工 信 部 将 碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划。风向标的明确，催使行业竞争愈加激烈，唯有掌握核心优势的企业方能脱颖而出。2022 年 6 月，历经三载，蓉矽半导体发布 NovuSiC EJBS 和理想硅基 MCR 二极管系列；9 月再度INDUSTRY&CITY67品牌故事BRAND STORIES举行新品发布会，推出第一代碳化硅 NovuSiC MOSFET G1，充分展示了独立自主研发能力。戴茂州说，“蓉矽半导体的座右铭是较真。”早在2020 年 11 月，蓉矽半导体就完成 NovuSiC EJBS 的第一次工程投片，良率超过 90%。但蓉矽半导体半导体并未止步于此，直至2022 年 1 月，产品达到蓉矽半导体内部的“高可靠性”标准后才正式投入量产。“可靠性是功率器件的关键，是历经时间恒久不变的品质。”蓉矽半导体将其追求到极致，不仅打造“零缺陷”的可靠性企业文化，在执行中严格遵守 DfR（Design for Reliability）开发流程，还建立了汽车级电子器件可靠性与质量管理体系，并以业界标准为基础，对自我提出更高要求，创造性地提出 AEC-Q101+标准，命名为 NovuStandard。成 功 量 产 的 1200V/20A NovuSiC EJBS 碳化硅二极管具有 11 倍以上的抗浪涌电流能力和更优异的鲁棒性，横向比较国内外竞品，其在导通压降、反向漏电及温度稳定性等方面均展示出优良特性。理想硅基二极管 MCR则具备高结温、超低漏电、低导通压降和高结温性能稳定等优势。NovuSiC MOSFET G1 在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，可以提高系统整体功率密度，降低系统总成本，在新能源汽车、直流充电桩、光伏系统等领域表现亮眼。蓉矽半导体的产品设计开发理念是不做通用型产品，而是基于客户的应用需求定义产品特性。根据不同应用场景，蓉矽半导体推出高性价比的 NovuSiC 系列产品和高可靠性的 DuraSiC 系列产品，成功跻身国内外第一梯队，成为进口替代的优异选择。2022 年 11 月，蓉矽半导体携新产品亮相慕尼黑华南电子展，为光伏、储能、充电桩、OBC 等应用提供全面的解决方案。蓉矽半导体设立华南地区办事处，积极筹备应用支持中心，立足当地市场研发针对性产品和方案，提供应用技术指导，全心为客户提供“同等价位条件下性能最优、同等性能条件下价格最优”的“双优”服务。戴茂州表示，“为客户提供高可靠性、可信赖的产品与服务是我们的行为标杆。”贴近市场，选择成都是完美搭配戴茂州坚信，只有保持长期稳健，专注技术精进与产品开发，才能研发出市场真正需要的产品，与客户实现共同成长。在他的创业构想中，台湾地区先进的半导体前端设计、晶圆制造技术应与为客户提供高可靠性、可信赖的产品与服务是蓉矽半导体的不变目标。“”大陆完整的封测验证环境、产品应用市场层层契合，完美搭配。多次实地考察后，他选择了成都。成都是“一带一路”和长江经济带的战略支点城市，科技创新策源能力持续提高，相关政策配套较为成熟，在高校与研究机构的支持下，科技人才活力充沛。而落户电子科技大学科技园（天府园），可获得电子科技大学及其功率集成技术实验室（PITEL）的人才与技术支持，为蓉矽半导体的“创新引擎”提供源源不断的动力。理想硅基二极管 MCR 专利技术便引进自电子科技大学功率集成技术实验室。入园以来，园区在投融资、市场对接、供应链对接、品牌服务上都为蓉矽半导体提供了细致入微的服务，助力蓉矽半导体做大做强。天时地利人和，正是走向成功的三才之道。而今，蓉矽半导体每一步都走得踏实，在产品开发的每一环节都求实、较真，为客户创造价值，以科技创新助力“双碳”目标进程。