基于双曲函数的通用型荷控忆阻器电路等效模型分析孙军伟*杨建领刘鹏王延峰(郑州轻工业大学电气信息工程学院郑州450000)摘要：目前，忆阻器模拟器的研究主要集中在磁控忆阻器，对荷控忆阻器模拟器的研究不多，双曲函数型的荷控忆阻器模拟器也很少涉及。因此，该文提出一种基于双曲函数的通用型荷控忆阻器模拟器。模拟器通过电压-电流的相互转换电路，实现电路中电压和电流信号之间的相互转换，再通过电路中对应的电路模块对产生的信号进行计算，最终得到通用型双曲荷控忆阻器模型。模拟器能够实现双曲正弦、双曲余弦以及双曲正切函数对应的荷控忆阻器模型。通用型双曲函数荷控忆阻器模拟器对应的等效电路，主要由运算放大器、电阻、电容、三极管等基本元件组成。分析模拟器在不同幅值以及不同频率的输入信号下的伏安特性曲线，得出荷控忆阻器模拟器符合记忆元件的基本特性。该文提出的通用型双曲函数荷控忆阻器模型，对忆阻器模型的发展具有一定的参考意义。关键词：荷控忆阻器；电路模型；双曲函数；伏安特性曲线中图分类号：TN601;TN751.2文献标识码：A文章编号：1009-5896(2023)02-0725-09DOI:10.11999/JEIT211317CircuitModelAnalysisofGeneralCharge-controlledMemristorBasedonHyperbolicFunctionsSUNJunweiYANGJianlingLIUPengWANGYanfeng(InstituteofElectricalandInformationEngineering,ZhengzhouUniversityofLightIndustry,Zhengzhou450000,China)Abstract:Atpresent,mostoftheresearchesonthememristorsimulatorsareflux-controlled,therearefewresearchesonthecharge-controlledmemristorsimulator,andthehyperbolicfunctionsimulatorisseldommentioned.Therefore,ageneral-purposesimulatorofcharge-controlledmemristorbasedonhyperbolicfunctionisproposed.Thesimulatorrealizestheconversionbetweenvoltageandcurrentsignalsinthecircuitthroughthevoltage-currentmutualconversioncircuit,andcalculatesthegeneratedsignalsthroughthecorrespondingmoduleinthecircuit,andfinallyobtainstheuniversalhyperboliccharge-controlledmemristormodel.Thesimulatorcanrealizethecharge-controlledmemristorcorrespondingtohyperbolicsine,hyperboliccosineandhyperbolictangentfunction.Theequivalentcircuitofthegeneral-purposehyperbolicfunctioncharge-controlledmemristorsimulatorismainlycomposedofoperationalamplifier,resisto...
