12电子技术第52卷第2期（总第555期）2023年2月Electronics电子学摘要：阐述MOSFET开启时栅极各个阶段的瞬态过程，MOSFET器件开启过程中栅极每个阶段特定波形的形成原因，从原理上分析了在开启时，栅极的上升台阶在实际应用中带来的问题和危害和规避方法。关键词：MOSFET，上升台阶，寄生电容。中图分类号：TN386文章编号：1000-0755(2023)02-0012-02文献引用格式：曹卓.MOSFET开启的瞬态过程与应对方法分析[J].电子技术,2023,52(02):12-13.（2）MOSFET开启电压Vgs第二阶段（如图1中Vgs的第2阶段t2）：此时Vgs开始大于MOSFET的开启电压Vgs(th)，Vin持续给栅源极寄生电容充电Cgs充电，MOSFET开始渐渐进入导通状态，MOSFET内部的自由电子开始向栅极流动，Id开始逐渐增大，当到达第2段与3段的临界点时，MOSFET漏极和源极的电压Vds最大，MOSFET的自身损耗等于Pd=Vds×Id,这个瞬时状态是MOSFET自身的损耗是最大的状态，但MOSFET还没有真正意义的导通，MOSFET漏源极电压Vds即将开始有减小的趋势，可以简单理解成水龙头即将被拧开的瞬态。（3）MOSFET开启电压Vgs第三阶段（如图1中Vgs的第3阶段t3）：MOSFET内部的自由电子开始增多了，MOSFET开始导通，漏源极电压Vds开始下降，这时候由于Vds电压减小，图2中D点电压开始减小，这里再次强调文中所描述的过程，都是瞬态的过程，D点电压减小，随之伴随着栅极与漏0引言MOSFET器件是在电子产品中广泛应用的元器件，它的主要优点是：栅极输入阻抗大，开启时所需要的驱动电流很小，几乎为零，所以启动MOSFET开启和关断多需要的功率极小。它是电压控制型器件，在芯片内部端口处和DC-DC电源，以及大功率驱动等场合中广泛应用。1N沟道MOSFET开启时栅极电压上升台阶的产生在理想状态条件下：N沟道MOSFET开启的条件是:MOSFET本身栅极和源极间的电压Vgs大于阈值Vgs(th)。满足此条件后，N沟道MOSFET的漏极和源极之间的电压Vds趋于0V，MOSFET导通，MOSFET内部开始有电流Id流动。但在现实应用中，Vgs在通往开启阈值Vgs(th)的过程中，并不是瞬态从高到低，而是存在一个相对较长的平台期（如图1所示）。由于MOSFET本身的生产工艺原因，任何MOSFET的栅极和源极之间，栅极和漏极之间，漏极和源极之间存在寄生电容。正规厂商生产的MOSFET元器件，都会在规格书中标明MOSFET各个极之间的寄生电容。所以，MOSFET在电路中的等效电路如图2。（1）MOSFET开启电压Vgs第一阶段（如图1中Vgs的第1阶段t1）：此时栅源极电压Vgs小于MOSFET开启...
