CEC221-2019：高梯度及低残压金属氧化物电阻片通用技术标准.pdf

ICs29.240.99F20T/CEC中国电力企业联合会标能T/CEC2212019高梯度及低残压金属氧化物电阻片通用技术标准General technical standards for high gradient and low residualvoltage non-linear metal oxide resistors2019-04-24发布2019-07-01实施中国电力企业联合会发布T/CEC221-2019前言本标准在主要技术内容上参照IEC60099-4:2014避雷器第4部分：交流无间隙金属氧化物避雷器和GB/T11032-2010交流无间隙金属氧化物避雷器(IEC60099-4:2006,MOD)而制定。本标准按照GB/T1.1-2009标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写给出的规则编写。本标准由中国电力企业联合会提出。本标准由电力行业过电压与绝缘配合标准化委员会(DL/TC38)归口。本标准起草单位：清华大学、西安西电避雷器有限责任公司。本标准主要起草人：何金良、胡军、孟鹏飞、谢清云、何计谋、邬锦波、蒙晓记、李刚。本标准为首次发布。本标准在执行过程中的意见或建议反馈至中国电力企业联合会标准化管理中心（北京市白广路二条一号，100761)。T/CEC221-2019高梯度及低残压金属氧化物电阻片通用技术标准1范围本标准规定了交流高梯度及低残压金属氧化物电阻片（以下简称电阻片）的标志及技术参数、标准额定值和使用条件、技术要求、试验要求、型式试验、例行试验、抽样试验和验收试验等。本标准适用于交流金属氧化物避雷器用高梯度及低残压金属氧化物电阻片。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T191包装储运图示标志GB/T2900.12一2008电工术语避雷器、低压电涌保护器及元件GB/T11032一2010交流无间隙金属氧化物避雷器GB/T16927.2高电压试验技术第2部分：测量系统IEC60099-4:2014交流无间隙金属氧化物避雷器(Surge arresters Part4:Metal-oxlide surge arresterswithout gaps for a.c.systems)3术语和定义GB/T2900.12一2008界定的以及下列定义和术语适用于本文件。3.1非线性伏安特性non-linear V-I characteristic电阻片在一定温度和一定电压范围内，在规定的电流波形下，流过电阻片的电流峰值与对应的电压峰值之间的关系表现为非线性（非欧姆特性），电导随电压的增加而迅速增大。非线性伏安特性可用数学公式表示，参见附录A。注1：除非另有规定，冲击伏安特性采用冲击电流波形为8/20s。注2：改写GB/T2900.12-2008,定义2.54。3.2电压梯度voltage gradient电阻片单位厚度的直流参考电压值，简称梯度，单位：Vmm。3.3高梯度电阻片high voltage-gradient resistor在直流参考电流下，梯度不小于300Vmm的电阻片。3.4老化系数voltage degradation coefficient在规定的电压、温度和试验时间的条件下进行加速老化试验，电阻片试验后功耗与试验前功耗的比值。在IEC60099-4:2014电阻片加速老化试验称为持续运行电压下长时稳定性试验，见IEC60099-4:2014中6.8。1T/CEC221-20193.5标称放电电流nominal discharge current划分电阻片等级、具有8/20s波形的雷电冲击电流峰值。3.6重复转移电荷额定值repetitive charge transfer rating规定的电阻片最大电荷转移能力，可由单一事件或一组电涌波产生，通过转移，并且不会引起金属氧化物电阻片的损坏或不可接受的电气性能劣化。注：电荷量计算采用电流对时间的积分值。由持续时间不超过2s的单一事件或一组电涌波累积的电荷量，随后的事件时间间隔不低于60s。3.7操作冲击电流switching current impulse视在波前时间大于30s但小于100s,视在波尾半峰值时间约为视在波前时间2倍的放电电流峰值。划分电阻片等级、具有8/20s波形的雷电冲击电流峰值。3.8陡波冲击电流steep current impulse视在波前时间为1s的冲击电流。因设备调整的限制，实测值为0.9s1.1s。视在波尾半峰值时间不应大于20s。3.9直流参考电流DC reference current确定电阻片直流参考电压的直流电流平均值。注：电阻片直流参考电流通常取1mA2mA。3.10直流参考电压DC reference voltage在通过直流参考电流时测出的电阻片的直流电压平均值。如果电压与极性有关，取低值。3.11残压residual voltage放电电流通过电阻片时的最大电压峰值。电阻片残压包含雷电冲击电流下残压、操作冲击电流下残压和陡波冲击电流下残压。3.12低残压电阻片low residual voltage resistor在相同冲击电流下，低残压电阻较通常电阻片压比低5%。3.13型试验type tests/design tests完成新电阻片开发、配方有调整时的试验，确定代表性的性能，并证明符合有关标准。3.14例行试验routine tests按要求对每只电阻片的试验，保证电阻片符合要求。3.15验收试验acceptance tests对订购电阻片的验证性试验。3.16样试验sample tests对电阻片，按批次以一定比例抽取试品抽样检查控制电阻片质量的试验。2