2023年笔记本内存条通用吗.docx

笔记本内存条通用吗 篇一：内存条购置本卷须知 内存条购置本卷须知 1. 尽量和你原来的笔记本要同品牌（建议）。 2. 容量可以不同，频率最好相同 3. 如果是游戏发烧友的话，不但以上参数要匹配，最好连内存条生产周都要相同，这样最稳定. 4.只要弄清楚你笔记本是DDR400 \DDR2 800\ DDR3 1333哪种类型的内存就好了。插槽不用去管。 5.首先看你的主板最大支持多大的内存，然后买同代、同频率的即可，品牌可以不同，因为都是通用的行业标准 6.要注意同代 同频率，一般就这两个7. 7.下载一个鲁大师之类的，硬件检测就可以看出来，DDR2 是内存类型，后面的数字是工作频率！百度搜索了下，你的本本最多支持2G内存，根据你的本本型号，2代内存，极有可能是667MHZ的，你可以买800MHZ的，内存可以降频使用，方便以后升级！当然你买667的也没有问题！ 篇二：笔记本内存故障 笔记本内存故障较少，尤其是原装内存。如果内存出现问题，系统将无法启动。根据使用的BIOS的不同，有不同的报警声，多数为连续不断的长嘀 声，或者是连续不断的短嘀声。 解决的方法是翻开内存槽的盖板更换内存，通常不用购置原装内存(价格昂贵)。注意笔记本使用的内存与台式机不同，长度只有台式机内存的一半。 1．内存不标准：目前大多数笔记本使用的是PC100或者PC133规格的内存；这些内存都应该有一个SPD芯片来存储内存的根本参数和规格，以提供BIOS识别和系统调用，但是一些杂牌的内存是没有SPD芯片或者是只用一块针脚相同的空芯片来冒充SPD芯片。这样的内存能用便是侥幸，稳定性毫无保障，对于没有SPD芯片的内存，不管价格多么廉价都建议你不要购置。此外，有些较老的机器使用的是144针的EDO内存，这种内存和SDRAM 的封装完全相同，外观也看不出来，最高容量为128M，不过其工作电压为5V而不是SDRAM的3.3V，如果误插了SDRAM就很可能被烧毁。 2．内存的形状问题：主要是指内存的高度和厚度问题，因为采用单面封装因此比较薄，当年的一些笔记本没有在内存插槽中预留足够的空间，结果就是现在的大容量高板双面内存安装不下。 3．内存的兼容性问题：这个问题对于Compaq和IBM的超轻薄机器尤为常见，即使是KingSton；KingMax这样的内存大牌子也可能出现问题，因此最好不要不试机就盲目的买，插上内存条认到正确的容量是根本的要求，如果是机器都开不了的黑屏或者嘀嘀的报错那就根本不用考虑，然后将机器置于待机状态，看看能否正常的唤醒。最好是可以用一些内存测试软件（推荐DocMem）跑一下看看稳定性如何。 4．耗电量和发热问题：许多用户在升级内存后发现自己的电池寿命缩短了，而且整机的发热加大，这主要是新参加的内存在工作的时候发热所至，通常两条内存的机器比一条内存的机器热一些（两个发热源），而且内存工作的时候是需要耗电的，耗电量加大也是正常。 5．最大内存支持的问题：目前市面上所销售的笔记本内存从单条64M到单条256M（SDRAM）都有。有时我们会遇到单条256M只认成128M的情况，这就是最大内存支持的问题，这个问题和主板的芯片组及笔记本的BIOS都有关系，至于厂商的BIOS也对最大内存总量有影响，如果厂商在BIOS中限制了最大的内存量，那么无论如何都不可能超过这个设置。 6．关于专用内存：专用内存通常用于超轻薄的小机器，是厂商为了减小机器的体积而设计的，Toshiba，SONY，Fujitsu和 Sharp等日系厂家最喜欢这样做。而欧美的厂家那么极少有采用专用内存的产品。 由于是为特定机器定做，这些内存的本钱较高，相应的售价昂贵，但是不会有兼容性和质量问题，在选购内存之前，请注意你自己的机器是否是专用内存。以下图就是SONY和Toishiba机器专用内存与笔记本通用SODIMM内存的比较。 篇三：各种内存的区别 ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。 ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丧失数据，典型的RAM就是计算 机的内存。 RAM 有两大类，一种称为静态RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但 是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（ Dynamic RAM/DRAM），DRAM保存数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从 价格上来说DRAM相比SRAM要廉价很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、 EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。 DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是根本一样的，不同之处在于它可 以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前中用得最多的内存，而且它有 着本钱优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速 DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 内存工作原理： 内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内 存（即DRAM），动态内存中所谓的〞动态〞，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丧失，因 此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取 决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电 荷，这就是数据丧失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，假设电量大于满电量的1／2，那么认为其代表1，并把 电容充满电；假设电量小于1／2，那么认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。 ROM 也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是 软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原 先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 举个例子， 软件一般放在EEPROM中，我们打 ，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上 写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让 用户忍无可忍的。 DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丧失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。 SRAM 利用存放器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丧失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。 以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。 PSRAM PSRAM ，假静态随机存储器。具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6TSRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。 根本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。 PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM廉价很多。 PSRAM主要应用于 ，电子词典，掌上，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。 FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丧失 数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。 Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进行擦除，而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进行，flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios，U盘，Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了本钱。 NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的〞闪盘〞，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。 NAND Flash和NOR Flash的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的本钱，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象〞flash存储器〞经常可以与相〞NOR存储器〞互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于N