2023年电力电子技术总结新编.docx

电力电子技术总结 篇一：电力电子技术期末总结 绪论： 1.电子技术的两大分支是什么。信息电子技术与电力电子技术x2.简单解释电力电子技术。 使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，即应用于电力领域的电子技术。 3.要学习的4种电力电子器件是什么。 器件。电力二极管、晶闸管、igbt、powermosfet四种。x4.电力变换器有哪几种。 交流变直流、直流变交流、直流变直流、交流变交流x5.电力电子技术的应用。 一般工业：电化学工业；交通运输：电动汽车、航海；电力系统：柔性交流输电、谐波治理、智能电网；电子装置电源；家用电器：变频空调；其他：航天飞行器、发电装置。X第一章： 1.x电力电子器件的分类： 半控型：晶闸管；全控型：电力mosfet、igbt；不可控型：电力二极管；电流驱动型：晶闸管；电压驱动型：电力mosfet、igbt； 2.x应用电力电子器件的系统组成： 由控制电路和驱动电路和电力电子器件为核心的主电路组成。 3.电导控制效应： 5.电力二极管的主要参数：正向平均电流if（av）、正向压降uf、反向重复峰值电压urrm、最高工作结温tjm、反向恢复时间trr、浪涌电流ifsm 6.电力二极管的类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管7.晶闸管的静态特性和动态特性： a p 1 a kk g a ag a） b） j1j2j3 ak n12 n2k a g p1n1p2n2kb） g g p2 c） a） u 8.晶闸管的主要参数：电压定额、电流定额、动态参数 9.电力mosfet的根本特征： g dd a） g n沟道 p沟道b） 图1-20电力mosfet的转移特性和输出特性a）转移特性b）输出特性 漏极电流id和栅源间电压ugs的关系称为mosfet的转移特性 id较大时，id与ugs的关系近似线性，曲线的斜 did率定义为跨导gfs gfs。 du gs id/a id/a tugs/v a） gstuds/vb） 图1-20 +uuugugut ib） 图1-21 a） 2023.igbt根本特征： 发射极栅极 a） b） ic g c） ige（th） a） ge （1）开关速度高，开关损耗小。在电压202300v以上时，开关损耗只有gtr的1/2023，与电力mosfet相当（2）相同电压和电流定额时，平安工作区比gtr大，且具有耐脉冲电流冲击能力（3）通态压降比vdmosfet低，特别是在电流较大的区域（4）输入阻抗高，输入特性与mosfet类似 （5）与mosfet和gtr相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 优点：开关速度高，输入阻抗高，为电压驱动，最全面的范文参考写作网站驱动功率小，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低， 平安工作区：正偏平安工作区（fbsoa）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定 反向偏置平安工作区（rbsoa）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duce/dt确定 11、电力电子器件的驱动根本任务、作用和隔离方法： 1.将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件那么既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号； 2.使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和平安性都有重要的意义。对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现； 3. 一般采用光隔离或磁隔离。 12、晶闸管的触发电路要求。触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流的概念）。范文写作触发脉冲应有足够的幅度。不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 vdr22 12 3 4 13、过电压的产生原因。外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因；内因过电压主要来自装置内部器件的开关过程。 14、过电流保护的方法和第一保护措施。电子电路作为第一保护措施。 15、x缓冲电路（吸收电路）及其作用：抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流、di/dt，减少器件的开关损耗 ui c a） b） 图1-38 第二章 1、整流电路中变压器t的作用。起变换电压和隔离的作用。 2、触发延迟角与导通角：触发延迟角：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度，用a表示，也称触发角或控制角；导通角：晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为导通角，用θ表示。 3、换相重叠角。换相过程持续的时间用电角度γ表示。 4、思想汇报专题变压器漏感对整流电路的影响： 5、电力电子装置消耗无功对公共电网的危害： 1、无功功率会导致电流增大和视在功率增加，导致设备容量增加； 2、无功功率增加，会使总电流增加，从而使设备和线路的损耗增加； 3、使线路压降增大，冲击性无功负载还会使电压剧烈波动。 6、电力电子装置产生的谐波对公共电网的危害： 1、谐波使电网中的元件产生附加的谐波损耗，降低发电、输电及用电设备的效率，大量的3次谐波流过中性线会使线路过热甚至发生火灾。 2、谐波影响各种电气设备的正常工作，使电机发生机械振动、噪音和过热，使变压器局部严重过热，使电容器、电缆等设备过热、使绝缘老化、寿命缩短以至损坏； 3、谐波会引起电网中局部的并联谐振和串联谐振，从而使谐波放大，会使上述1）和2）两项的危害大大增加，甚至引起严重事故； 4、谐波会导致继电保护和自动装置的误动作，并使电气测量仪表计量不准确。 5、谐 篇二：电力电子教材知识点全书总结 范文top20230电力电子技术期末复习题 第1章绪论 1电力电子技术定义。是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。 2电力变换的种类 （1）交流变直流ac-dc：整流 （2）直流变交流dc-ac：逆变 （3）直流变直流dc-dc：一般通过直流斩波电路实现 （4）交流变交流ac-ac：一般称作交流电力控制 3电力电子技术分类。分为电力电子器件制造技术和变流技术。 第2章电力电子器件 1电力电子器件与主电路的关系 （1）主电路。指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。 （2）电力电子器件。指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。 2电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。 3电力电子系统根本组成与工作原理 （1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。 （2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。 （3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。 （4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。 4电力电子器件的分类 根据控制信号所控制的程度分类 （1）半控型器件。通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如scr晶闸管。 （2）全控型器件。通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。如gto、gtr、mosfet和igbt。 （3）不可控器件。不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。 根据驱动信号的性质分类 （1）电流型器件。通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如scr、gto、gtr。 （2）电压型器件。通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如mosfet、igbt。 根据器件内部载流子参与导电的情况分类 （1）单极型器件。内部由一种载流子参与导电的器件。如mosfet。 （2）双极型器件。由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如scr、gto、gtr。 （3）复合型器件。有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如igbt。 5半控型器件—晶闸管scr 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的双晶体管模型 将器件n1、p2半导体取倾斜截面，那么晶闸管变成v1-pnp和v2-npn两个晶体管。 晶闸管的导通工作原理 （1）当ak间加正向电压ea，晶闸管不能导通，主要是中间存在反向pn结。 （2）当gk间加正向电压eg，npn晶体管基极存在驱动电流ig，npn晶体管导通，产生集电极电流ic2。 （4）ic1与ig构成npn的驱动电流，继续上述过程，形成强烈的负反响，这样npn和pnp两个晶体管完全饱和，晶闸管导通。 2.3.1.4.3晶闸管是半控型器件的原因 （1）晶闸管导通后撤掉外部门极电流ig，但是npn基极仍然存在电流，由pnp集电极电流ic1供给，电流已经形成强烈正反响，因此晶闸管继续维持导通。 （2）因此，晶闸管的门极电流只能触发控制其导通而不能控制其关断。 2.3.1.4.4晶闸管的关断工作原理 满足下面条件，晶闸管才能关断： （1）去掉ak间正向电压； （2）ak间加反向电压； （3）设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下。 2.3.2.1.1晶闸管正常工作时的静态特性 （1）当晶闸管承受反向电压时，不管门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 （2）当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 （3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不管门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。 （4）假设要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 2.4.1.1gto的结构 （1）gto与普通晶闸管